¿Cuál es la ventaja de la tecnología de inversor igbt trifásico?
¿Por qué la tecnología de inversor IGBT se utiliza ampliamente en inversores trifásicos?
La tecnología de inversor igbt trifásico tiene las ventajas de la alta impedancia de entrada de MOSFET y la baja caída de voltaje de GTR. El voltaje de saturación de GTR disminuye, la densidad de corriente es grande, pero la corriente impulsora es grande. La potencia del controlador MOSFET es pequeña, la velocidad de conmutación es rápida, pero la caída de voltaje es grande y la densidad de corriente es pequeña. La tecnología de inversor IGBT trifásico combina las ventajas de los dos dispositivos anteriores para lograr una potencia de conducción baja y un voltaje de saturación bajo. En el inversor trifásico de alta potencia, se necesita una resistencia a alto voltaje y que pueda cumplir con el controlador de salida de alta velocidad, la tecnología de inversor IGBT trifásico puede cumplir con los requisitos del inversor trifásico.
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